Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам.
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
| Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение — Игромания | Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. |
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. |
| «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД / ServerNews | Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб. |
Вам также понравятся
- Свежие материалы
- Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
- GIGABYTE выпускает обновления BIOS материнской платы для поддержки процессоров Ryzen 9000.
- Память нового поколения: какая она - Hi-Tech
Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel.
Один из видов таких схем — фотонная интегральная схема, в которой передача, хранение и обработка информации производится с помощью света. Кремниевые кольцевые микрорезонаторы выполнены по широко распространенной технологии изготовления компонентов для полупроводниковых приборов — кремний на изоляторе. Для переключения выходного состояния используются оптические импульсы различной интенсивности: низкая кодирует «0», высокая — «1». Таким образом записывается информация.
Трансформация на рынке центров обработки данных должна произойти раньше, поэтому Samsung планирует производить модули DDR5-7200 емкостью 512 ГБ до конца этого года.
Трансформация на рынке центров обработки данных должна произойти раньше, поэтому Samsung планирует производить модули DDR5-7200 емкостью 512 ГБ до конца этого года.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
Память производится с использованием фотолитографического оборудования. Благодаря EUV-литографии создаются 5 слоев микросхем, что на сегодняшний день является самым высоким уровнем фотолитографии в глубоком ультрафиолете при производстве памяти. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом. Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти.
Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов. Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Первыми получателями новой памяти ожидаемо станут видеокарты GeForce 50хх серии. При этом релиз не оправдал ожиданий публики: во время разработки прототипов и утверждения стандарта речь шла о поддержке плотности чипа в 16 и 32 Гб, что давало надежду на то, что производители перестанут выпускать карты с объемом видеопамяти в 8 Гб, а новым стандартом станет как раз 16 и 32 Гб. Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти.
GIGABYTE выпускает обновления BIOS материнской платы для поддержки процессоров Ryzen 9000.
- Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
- Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры | Мир технологий
- Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion
- Газета «Суть времени»
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
| Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ - Shazoo | Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб. |
| Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ | Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. |
| Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден | Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ. |
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность.
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM.
Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ.