Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет. А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов. Однако ничто не мешает сочетать эти технологии, добиваясь, таким образом, ещё большей гибкости.
Samsung разработала более быструю и эффективную память для флагманских телефонов следующего поколения Автор Маргарита На чтение 1 мин Просмотров 53 Опубликовано 09. Компания первой в отрасли разработала модуль памяти следующего поколения, который быстрее и эффективнее предыдущего поколения.
Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную.
Представленная компанией разработка предназначена в первую очередь для дата-центров. В Samsung уточнили, что не собираются останавливаться на достигнутом и в будущем представят модули памяти DDR5 емкостью в один терабайт. В Samsung полагают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 годам.
В июле стало известно , что компания ZTE готовит смартфон с рекордным объемом памяти.
Хотя «дорожная карта» компании Micron описывает возможности создания нишевых продуктов памяти, таких как планки емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, они, скорее всего, будут ориентированы на конкретных заказчиков.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. |
| Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ | Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. |
| Оперативная память ⭐ новости, стандарты, технологии на | В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. |
Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Любопытно, что над памятью располагается система активного охлаждения с двумя вентиляторами. Очевидно, новая память довольно сильно греется. Тестирование проводилось в первом режиме, использовался бенчмарк SPECworkstation 3.
Новинка позволит расширить пропускную способность и возможности масштабирования оперативной памяти серверов, что особенно важно при выполнении высокопроизводительных вычислений и приложений категории искусственного интеллекта в центрах обработки данных. Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году. Вторая версия спецификации CXL 2.
Вторая версия спецификации CXL 2. Главные достоинства CXL по сравнению с ныне применяемыми решениями — заметное увеличение пропускной способности оперативной памяти, возможности ее масштабирования до терабайтного уровня и малая задержка при передаче данных между процессором и графическими ускорителями, интеллектуальными устройствами ввода-вывода и др. Внедрение CXL в серверных системах приобретает особо важное значение в случае выполнения гетерогенных вычислений, когда несколько процессоров задействованы параллельно для обработки огромных объемов данных.
Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний. Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. С помощью новой памяти можно будет создавать компьютеры с огромным объемом оперативной памяти, которая будет работать быстрее и эффективнее, чем существующие решения.
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
| Telegram: Contact @F_S_C_P | Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. |
| ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM — i2HARD | На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. |
| Минпромторг: Модуль памяти "черного ящика" SSJ-100 цел | Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. |
| Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний | Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM. |
| Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ | — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. |
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Стоит отметить, что в последние годы развитие виртуальной реальности, алгоритмов искусственного интеллекта и больших данных генерировал невероятные объёмы данных. И традиционные типы памяти ограничены в масштабировании. Ситуация требует совершенно новой технологии, такой как CXL.
В то же время новые модули будут иметь более низкое напряжение 1,1 В, что в сочетании с регулировкой напряжения на модуле повысит энергоэффективность. Трансформация на рынке центров обработки данных должна произойти раньше, поэтому Samsung планирует производить модули DDR5-7200 емкостью 512 ГБ до конца этого года.
Ни при каких условиях, включая, но не ограничиваясь невнимательностью или небрежностью Пользователя, Компания не несет ответственности за любой ущерб прямой или косвенный, случайный или закономерный , включая, но не ограничиваясь потерей данных или прибылей, связанной с использованием или невозможностью использования Сайта, информации, файлов или материалов на нем, даже если Компания или ее представители были предупреждены о возможности такой потери. В случае, если использование Сайта приведёт к необходимости дополнительного обслуживания, исправления или ремонта любого оборудования, а равно восстановления данных, все связанные с этим затраты оплачиваются Пользователем самостоятельно. Вся представленная на Сайте информация предоставляется «как есть», без каких-либо гарантий, явных или подразумеваемых. Компания полностью, в той мере, в какой это разрешено законом, отказывается от какой-либо ответственности, явной или подразумеваемой, включая, но не ограничиваясь неявными гарантиями пригодности к использованию, а также гарантиями законности любой информации, продукта или услуги, полученной или приобретенной с помощью этого Сайта. Пользователь согласен, что все материалы и сервисы Сайта или любая их часть могут сопровождаться рекламой. Пользователь согласен с тем, что Компания не несет какой-либо ответственности и не имеет каких-либо обязательств в связи с такой рекламой. Условия обработки и использования персональных данных. Предоставление своих персональных данных, включающих имя, номера контактных телефонов; адреса электронной почты; место работы и занимаемая должность; пользовательские данные сведения о местоположении; тип и версия ОС; тип и версия Браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник откуда пришел на сайт пользователь; с какого сайта или по какой рекламе; язык ОС и Браузера; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; ip-адрес своей волей и в своем интересе. Цель обработки персональных данных: предоставление Пользователю услуг Сайта; направление уведомлений, касающихся услуг Сайта; подготовка и направление ответов на запросы Пользователя; выполнение регулярной информационной рассылки; направление информации о продуктах и услугах Компании, а также рекламно-информационных сообщений, касающихся продукции и услуг Компании и ее партнеров. Перечень действий с персональными данными, на которые Пользователь выражает свое согласие: сбор, систематизация, накопление, хранение, уточнение обновление, изменение , использование, обезличивание, передача третьим лицам для указанных выше целей, а также осуществление любых иных действий, предусмотренных действующим законодательством РФ как неавтоматизированными, так и автоматизированными способами. Компания обязуется принимать все необходимые меры для защиты персональных данных Пользователя от неправомерного доступа или раскрытия. Настоящее согласие действует до момента его отзыва Пользователем путем направления соответствующего уведомления заказным письмо с уведомлением на адрес Компании. Прочие положения 5.
Компания первой в отрасли разработала модуль памяти следующего поколения, который быстрее и эффективнее предыдущего поколения. Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную. Санджун Хван, старший вице-президент и руководитель группы разработчиков DRAM Samsung, заявил: «В последние годы сегменты рынка с гиперподключениями, такие как искусственный интеллект, дополненная реальность AR и метавселенная, которые полагаются на чрезвычайно быструю крупномасштабную обработку данных, быстро расширяется».
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Данная технология компании использует часть доступной емкости в качестве флэш памяти NAND SLC (1 бит на ячейку), что называется режимом Hyper cache. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Смотрите видео канала Рынок Модулей Памяти (35133279) на RUTUBE. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ.
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей.
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory.