Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти).
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
Sukhoi SuperJet-100 отправился в свой второй демонстрационный полет с индонезийского аэродрома Халим в Джакарте в 11:21 мск 9 мая. По предварительным данным, связь с самолетом пропала через 29 минут. Согласно предварительным данным, самолет ударился о скалу.
Почти все электронное оборудование сегодня производится с использованием цифровых схем, изготовленных по КМОП технологии. Именно поэтому IBM считает важным, чтобы ее первая схема Racetrack памяти могла интегрироваться в микросхемы, создаваемые по КМОП технологии на восьмидюймовых пластинах. Представители компании говорят, что Racetrack намного превосходит по долговечности существующую NAND флеш-память, используемую при создании твердотельных накопителей, а также карт памяти для мобильных телефонов и планшетных ПК. Обычно NAND флеш потребительского класса рассчитаны на 4000 циклов записи-стирания, в то время как флеш-устройства, ориентированные на применение в больших корпоративных центрах данных, выдерживают от 50,000 до 100,000 циклов. IBM утверждает, что память типа Racetrack не имеет ограничений по числу циклов записи, поскольку «она модифицирует магнитный домен», в отличие от NAND-памяти, в которой движущиеся в процессе записи заряды, в конечном счете, приводят к деградации материала.
При этом релиз не оправдал ожиданий публики: во время разработки прототипов и утверждения стандарта речь шла о поддержке плотности чипа в 16 и 32 Гб, что давало надежду на то, что производители перестанут выпускать карты с объемом видеопамяти в 8 Гб, а новым стандартом станет как раз 16 и 32 Гб.
Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти. Связано это как раз с использованием технологии импульсной модуляции PAM-3, повышением частоты работы чипа и, в целом, уплотнения памяти.
Это квантовые биты, состоящие из электронов вокруг отдельных атомов кремния, встроенных в кристаллы алмаза.
Кремниевая вакансия встроена в узорчатую алмазную проволоку, которая направляет к ней фотоны. В зависимости от квантового состояния электрона фотоны отражаются по-разному, что позволяет хранить квантовую информацию в спине электрона. Наша система напоминает оптические модуляторы, которые передают большую часть интернет-трафика. Как и оптические модуляторы, наша квантовая память — это переключатели, которые либо пропускают, либо отражают свет в зависимости от того, «включены» они или «выключены».
В отличие от обычных модуляторов, наши включаются и выключаются одним электроном, а не большими электрическими сигналами, и могут находиться в квантовой суперпозиции включения и выключения. Дэвид Левонян, соавтор исследования в интервью Phys.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
SK hynix представила «первые в мире» чипы DDR5. Емкость модулей может достигать 256 ГБ. Такая скорость позволит модулю памяти передавать по девять фильмов в секунду в высоком разрешении Full HD, размером примерно 5 ГБ каждый. Таким образом, продукт, как заявляет производитель, «заточен» под решение задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.
Минобороны России в пятницу собрало брифинг, на котором в присутствии представителей СМИ и военных миссий Китая и Индии был вскрыт бортовой самописец Су-24. Анализ и обработка полетной информации с самописца будет проходить в субботу, 19 декабря. Результаты расшифровки, как ожидается, будут оглашены в понедельник, 21 декабря. Российский фронтовой бомбардировщик Су-24, принимавший участие в воздушной операции против боевиков ДАИШ, был сбит с турецкого истребителя F-16 ракетой типа "воздух-воздух" над территорией Сирии 24 ноября.
Вероятно, такая разница в габаритах объясняется незаконченными спецификациями JEDEC, из-за чего компании создают прототипы, а не готовые к работе модули. Модуль со стандартом CXL 1. S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения системной памяти в дата-центрах.
Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует. Хотя «дорожная карта» компании Micron описывает возможности создания нишевых продуктов памяти, таких как планки емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, они, скорее всего, будут ориентированы на конкретных заказчиков.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
| Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ | На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. |
| Оперативная память ⭐ новости, стандарты, технологии на | Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. |
| Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ | Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались. |
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Сборки, укомплектованные памятью DDR5, успешно справились с загрузкой операционной системы. Память DDR5 предлагает значительно более высокие частоты — до 4800 МГц — без какого-либо оверклокинга. Эту частоту будут поддерживать грядущие процессоры 12-го поколения Intel Core "Alder Lake", выход которых ожидается в конце этого года. Кроме того, DDR5 будет работать на более низких напряжениях и сможет использоваться в больших объемах по сравнению с DDR4.
Более того, эти чипы делают возможным производство модулей памяти с ёмкостью 1 ТБ, что считалось недостижимым ранее. Эти модули на 1 ТБ могут показаться избыточными на данный момент, но они будут крайне полезны в областях искусственного интеллекта, больших данных и серверных баз данных. Такие модули позволяют серверам поддерживать до 12 ТБ памяти DDR5 на сокет в случае 12-канальной системы памяти.
Также они найдут применение при работе в системах виртуальной реальности и метавселенных, где необходимо обрабатывать большие объёмы данных в реальном времени.
Они добавили, что разработка таких решений уже ведётся, но каких-либо деталей об этом не предоставили. Переход к модулям памяти нового формфактора CAMM2 DDR5 в настольных ПК определённо ознаменует значительную эволюцию в конструкции персональных компьютеров, но в то же время потребует значительных усилий как со стороны разработчиков материнских плат, так и со стороны производителей оперативной памяти. Актуальные модели плат для потребительских компьютеров оснащаются двумя или четырьмя разъёмами DIMM, поддерживающими установку до 256 Гбайт ОЗУ в виде модулей объёмом 64 Гбайт. Вся эта работа займёт огромное количество времени.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
| TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ | Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. |
| Разработан новый формат модулей памяти DDR4 | Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. |
| Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5 | Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. |
| TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ — МИР NVIDIA | Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. |
| Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров | Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году. |
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
Однако ничто не мешает сочетать эти технологии, добиваясь, таким образом, ещё большей гибкости. Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам. Материалы по теме:.
Память производится с использованием фотолитографического оборудования. Благодаря EUV-литографии создаются 5 слоев микросхем, что на сегодняшний день является самым высоким уровнем фотолитографии в глубоком ультрафиолете при производстве памяти. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом. Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти.
На его борту, по данным компании "Гражданские самолеты Сухого" ГСС , находились 45 человек, в том числе восемь россиян, четверо из которых — члены экипажа. Поисковая операция на месте катастрофы продолжается.
Первыми получателями новой памяти ожидаемо станут видеокарты GeForce 50хх серии. При этом релиз не оправдал ожиданий публики: во время разработки прототипов и утверждения стандарта речь шла о поддержке плотности чипа в 16 и 32 Гб, что давало надежду на то, что производители перестанут выпускать карты с объемом видеопамяти в 8 Гб, а новым стандартом станет как раз 16 и 32 Гб. Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти.
Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5
- Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
- Устройства и решения для хранения данных
- Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
- Релизы игр:
- Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
- Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
Устройства и решения для хранения данных
- Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит |
- Релизы игр:
- Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
- Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
Комментарии
- Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
- Релизы игр:
- Память нового поколения: какая она
- Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
- TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
- Telegram: Contact @F_S_C_P
Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). 24 марта Новости. На конференции по технологиям NVIDIA GPU Technology Conference (GTC), Micron представила огромные модули памяти MCR DIMM DDR5-8800 емкостью 256 ГБ. 24 марта Новости. На конференции по технологиям NVIDIA GPU Technology Conference (GTC), Micron представила огромные модули памяти MCR DIMM DDR5-8800 емкостью 256 ГБ. Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Отрасли требовалась единая площадка для взаимодействия специалистов и компаний. И сейчас она появилась... Кроме того, для продвижения продукции обычно используются сайты компаний-производителей, а при таком подходе сложно привлечь большую аудиторию, и основной канал привлечения заказов - активные продажи. С появлением Industry Hunter компании на рынке могут получить новые возможности по взаимодействию с потенциальными клиентами и привлечь новые запросы и заказы.
Платформы - это общемировая тенденция. И я рад, что нашелся человек с командой единомышленников, который реализовал профильное решение позволяющее предприятиям заявлять о своих возможностях, находить новых партнеров и решения для своих задач!
Переход к модулям памяти нового формфактора CAMM2 DDR5 в настольных ПК определённо ознаменует значительную эволюцию в конструкции персональных компьютеров, но в то же время потребует значительных усилий как со стороны разработчиков материнских плат, так и со стороны производителей оперативной памяти. Актуальные модели плат для потребительских компьютеров оснащаются двумя или четырьмя разъёмами DIMM, поддерживающими установку до 256 Гбайт ОЗУ в виде модулей объёмом 64 Гбайт. Вся эта работа займёт огромное количество времени. К тому же, технология CAMM2 сама по себе ещё очень молодая и пока не зарекомендовала себя на рынке.
SK hynix представила «первые в мире» чипы DDR5.
Емкость модулей может достигать 256 ГБ. Такая скорость позволит модулю памяти передавать по девять фильмов в секунду в высоком разрешении Full HD, размером примерно 5 ГБ каждый. Таким образом, продукт, как заявляет производитель, «заточен» под решение задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.
Тестирование проводилось в первом режиме, использовался бенчмарк SPECworkstation 3. Как отмечается, «конкурентом» выступил NVMe-накопитель Intel 905p. В CrystalDiskMark 7 данные выглядели так: Отметим, что это был прототип.