Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
Память производится с использованием фотолитографического оборудования. Благодаря EUV-литографии создаются 5 слоев микросхем, что на сегодняшний день является самым высоким уровнем фотолитографии в глубоком ультрафиолете при производстве памяти. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом.
Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти.
Новинка позволит расширить пропускную способность и возможности масштабирования оперативной памяти серверов, что особенно важно при выполнении высокопроизводительных вычислений и приложений категории искусственного интеллекта в центрах обработки данных. Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году. Вторая версия спецификации CXL 2.
По информации Samsung, новый формат превосходит DDR4 по четырем показателям — производительность, скорость, емкость и мощность. Инженеры корпорации заявили, что по сравнению с форматом DDR4 новая память обеспечивает увеличение производительности на 40 процентов, скорости — в 2,2 раза. Большая эффективность шины — на 18 процентов — достигается за счет встроенного управления питанием PMIC, которая уменьшает потребность в работе с низким напряжением. Представленная компанией разработка предназначена в первую очередь для дата-центров.
Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет. Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
Навигация по записям
- Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion
- Свежие материалы
- «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД
- Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5 | Компьютерра
- Модуль памяти из перовскита работает одновременно как RRAM и LEM
Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
ЧСС 3. SТ1 SТ2 4. М10 8. М12 9. М22 10.
ЭЭГ-7 12. О-4 ПЗУ2 3.
Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет. Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии.
Что еще?
Разумеется, именно компактность и являлась главной причиной разработки модулей CAMM. Она заменит "ступенчатую" конструкцию SO-DIMM единым двухканальным "куском" памяти, широким и плоским, так что теперь это уже не совсем "планка". При этом она является намного более компактной, что крайне важно для ноутбука, и при этом может быть легко заменена пользователем. Модули CAMM обычно крепятся к материнской плате болтами, а не используют пружинный механизм удержания.
Максимальная эффективная частота новых чипов 32 ГГц, в планах — рост до 37 ГГц, однако первые видеокарты, которые получат новую память, будут работать на частоте 28 ГГц. Новая память значительно увеличит производительность как игровых, так и вычислительных решений от производителей графических ускорителей, то есть затронет все сегменты существующего рынка. Существенным отличием GDDR7 от предшественников является внедрение интерфейса импульсно-амплитудной модуляции сигнала PAM во время исполнения высокочастотных операций.
Первыми получателями новой памяти ожидаемо станут видеокарты GeForce 50хх серии.
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5.
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт.
GIGABYTE выпускает обновления BIOS материнской платы для поддержки процессоров Ryzen 9000.
- Обсуждение (2)
- Свежие материалы
- Другие новости
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
- Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб, компания теперь объявила о своих планах по серийному выпуску микросхем DDR5 емкостью 32 Гб и модулей памяти большой емкости в первой половине 2024 года. Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует.
В совокупности это должно повысить потенциал разгона. Кстати, даже одна планка может работать в двухканальном режиме.
Представлен первый модуль с шиной данных 32 бит и общей емкостью хранимой информации 8 Гб. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый.
На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране. На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж. Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт.
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти. Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL.