Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
| Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ | Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года. |
| Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ | 24 марта Новости. На конференции по технологиям NVIDIA GPU Technology Conference (GTC), Micron представила огромные модули памяти MCR DIMM DDR5-8800 емкостью 256 ГБ. |
| Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО] | Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. |
Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX.
Накопитель твердотельный SSD 2. Когда данные записываются на SSD, микропрограмма направляет данные в режим Hyper Cache, обеспечивая превосходную производительность для обработки различных сценариев промышленного использования.
Он пояснил, бортовой самописец обычно располагается в районе вертикального оперения килей в задней части самолета, а ракета турецкого истребителя F-16 поразила именно хвостовую часть бомбардировщика. Минобороны России в пятницу собрало брифинг, на котором в присутствии представителей СМИ и военных миссий Китая и Индии был вскрыт бортовой самописец Су-24. Анализ и обработка полетной информации с самописца будет проходить в субботу, 19 декабря. Результаты расшифровки, как ожидается, будут оглашены в понедельник, 21 декабря.
Samsung разработала более быструю и эффективную память для флагманских телефонов следующего поколения Автор Маргарита На чтение 1 мин Просмотров 53 Опубликовано 09. Компания первой в отрасли разработала модуль памяти следующего поколения, который быстрее и эффективнее предыдущего поколения. Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную.
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
| Lenovo представила первый в мире ноутбук с модулями памяти LPCAMM2 DDR5x | Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. |
| Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ | При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. |
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL | Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. |
| Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4? | ВСЛУХ | Дзен | Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. |
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей. Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой. В будущем чипы DRAM емкостью 32 Гб могут быть использованы и в других форм-факторах, например, в тех, которые соответствуют стандарту Compute Express Link.
Такая скорость позволит модулю памяти передавать по девять фильмов в секунду в высоком разрешении Full HD, размером примерно 5 ГБ каждый. Таким образом, продукт, как заявляет производитель, «заточен» под решение задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения. Про планы и перспективы Как сообщает CNews, поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 будет реализована в новых серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids. Их выпуск планируется в 2021 году.
В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления. Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера. Новым витком успеха стал запуск новой усовершенствованной памяти в массовое производство. Эксперты отмечают, что выход пресс-релиза с описанием технологических процессов — новый шаг, повышающий прозрачность работы компаний, подобных Samsung.
Новая память DDR5 будет иметь ёмкость 32 Гбит 4 ГБ на одну микросхему, что позволит создавать модули объемом до 128 ГБ для настольных и серверных компьютеров. Такие объемы памяти могут быть необходимы для высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory , которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. Samsung стал первой компанией в мире, которая представила монолитную микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гбит, то есть объемом 4 ГБ. Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
| Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ | Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. |
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | | Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. |
| Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение — Игромания | Модуль памяти бортового самописца российского бомбардировщика Су-24М, сбитого турецким истребителем в небе над Сирией, имеет повреждения. |
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
Вероятно, такая разница в габаритах объясняется незаконченными спецификациями JEDEC, из-за чего компании создают прототипы, а не готовые к работе модули. Модуль со стандартом CXL 1. S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения системной памяти в дата-центрах.
Скорее всего, оба стандарта будут существовать параллельно на протяжении существенного отрезка времени. Причина — решение производителей о сокращении производства с целью создания искусственного дефицита. Вариант от Samsung В сентябре 2023 г. По заявлению Samsung, была подтверждена совместимость новых модулей с «железом» производства Intel.
По словам южнокорейского производителя, новинка предлагает значительно более высокую производительность и скорость, а также вдвое больший объём по сравнению с памятью DDR4. При производстве модуля DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт Samsung использовала восьмислойный стэк кристаллов DDR5, объединённых с помощью технологии 3D TSV through-silicon via , характеризующейся сквозными соединениями между слоями в произвольной точке. Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готовой микросхемы в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм у DDR4.
Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ. Память поддерживает профили Intel XMP 3.
Другие новости
- Другие новости
- Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
- По тегу: модуль памяти
- TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ — МИР NVIDIA
- Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
- Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
CAMM2 становится стандартом
- Свежие материалы
- Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4 — Talks — Форум
- Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Железо | NEWS
- Модуль памяти из перовскита работает одновременно как RRAM и LEM
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
Релизы игр:
- Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
- Серверные модули памяти от MMY
- Рынок Модулей Памяти
- Разработан новый формат модулей памяти DDR4
- Релизы игр:
Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового. Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители.